本院物理系與加州理工學院（California Institute of Technology）合作，成功突破量子記憶體技術的瓶頸。研究團隊包括臺師大教授陸亭樺、藍彥文及博士後研究員張文豪，與加州理工學院的葉乃裳教授、博士生郝篤行共同進行，並於2024年12月發表於《Advanced Materials》期刊。
研究聚焦於單層二硫化鉬（MoS₂），發現當在低溫環境下施加磁場時，能破壞其能谷簡併並引發電極化現象。這一突破解決了傳統鐵電材料在奈米尺度下無法保持電極化的問題，成功實現了0.65奈米厚的量子記憶材料，具有非揮發性特性。
此技術在量子記憶體、超靈敏磁場感測器和奈米電子元件領域具有巨大的應用潛力，並為未來量子計算和高精度感測技術的發展提供了新思路。此研究由國科會和美國國家科學基金會支持，促進了臺灣與國際科研合作。
