物理系藍彥文、陸亭樺教授團隊於2025年10月在《Science Advances》發表論文〈Orbital angular momentum–driven multistate photomemory〉,展示以光的軌道角動量(OAM)驅動的新型多階光電記憶技術,突破傳統光記憶僅能二進制操作的限制。
研究以單層二硫化鉬(MoS₂)為材料,利用不同OAM光束改變材料陷阱能階密度,實現多階電荷狀態控制。實驗證明僅透過調整光的角動量即可穩定切換多重記憶態,大幅提升儲存密度與靈活性。
研究團隊進一步指出,該技術具高穩定性與可重現性,並可用Poole–Frenkel能障調變機制解釋。此成果證明光的角動量可作為獨立資訊變數,為光子運算、AI硬體與類腦記憶架構開啟新方向,展現臺師大在光電與二維材料領域的國際競爭力。
本文節錄自師大新聞